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SPPKTP晶體通過(guò)優(yōu)化極化工藝突破傳統(tǒng)PPKTP的功率與灰跡限制，其核心優(yōu)勢(shì)包括：功率承載能力達(dá)標(biāo)準(zhǔn)PPKTP的6倍、532nm光吸收率降低50%、GRIIRA（綠致紅外吸收）效應(yīng)減弱6倍1。關(guān)鍵參數(shù)表現(xiàn)為1064nm本體吸收僅23ppm/cm，532nm激發(fā)下GRIIRA值低至5ppm/cm（實(shí)測(cè)條件：15KW/cm2@1064nm基底+8KW/cm2@532nm輻照）1，結(jié)合1×2mm2標(biāo)準(zhǔn)孔徑（長(zhǎng)度≤30mm）與350-4000nm寬透光范圍，為高功率量子光學(xué)系統(tǒng)提供超低噪聲、抗熱畸變的變頻核心。其顯著抑制灰跡效應(yīng)（累積性光損傷）的能力，解決了高功率密度頻率轉(zhuǎn)換中的輸出衰退難題，賦能量子糾纏源、高亮度參量振蕩（OPO） 及超靈敏探測(cè)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)瓦級(jí)穩(wěn)定輸出，推動(dòng)量子通信、計(jì)算光源等前沿領(lǐng)域的技術(shù)革新
我們一站式供應(yīng)各種類型的量子晶體，非線性晶體，PPKTP晶體，SPPKTP晶體，PPLN晶體，HP-APKTP晶體，可提供選型、技術(shù)指導(dǎo)、安裝培訓(xùn)、個(gè)性定制等全生命周期、全流程服務(wù)，歡迎聯(lián)系我們！
SPPKTP 改善了功率處理能力，降低了光吸收，同時(shí)還能保持高質(zhì)量的極化，適用于各種 QPM 和非周期性極化應(yīng)用。因此，它特別適用于非線性光學(xué)（如量子光學(xué)和相關(guān)領(lǐng)域）中需要高功率的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn)
功率處理能力： SPPKTP 支持的功率是標(biāo)準(zhǔn) PPKTP 晶體的 6 倍。
低吸收：與標(biāo)準(zhǔn) PPKTP 相比，它在 532nm 波長(zhǎng)的吸收率低 50%，GRIIRA 效應(yīng)低 6 倍。
性能提高： 與標(biāo)準(zhǔn) KTP 和 PPKTP 晶體相比，吸收率測(cè)量和 GRIIRA（綠色誘導(dǎo)紅外吸收）測(cè)試結(jié)果顯示其性能明顯更佳。
SppKTP 特性
吸收測(cè)量掃描整個(gè)晶體寬度和 GRIIRA（綠色誘導(dǎo)紅外吸收）測(cè)試（使用公共路徑干涉儀）顯示了以下結(jié)果：
| 吸收率 ppm / cm | |||
| 類型 | 掃描 | GRIIRA | |
| 1064nm | 532nm | ||
| KTP | 23 | 22000 | 25 |
| SKTP | 23 | 4200 | 5 |
典型規(guī)格
| 孔徑 | 典型 1mm*2mm |
| 長(zhǎng)度 | 最大 30 mm |
| 平整度 | λ/6 @633nm |
| 垂直 | 最小 <10 arc min |
| 排比 | 20 arc sec |
| AP涂層 | 腔外/腔內(nèi)、AR/AR、AR/HR、DBAR |
| 劃痕 | 10/5 |
| 透明度 | 350 - 4000 nm |
吸收測(cè)量
掃描晶體的長(zhǎng)度（1064nm和532nm）。
GRIIRA 測(cè)量
測(cè)試測(cè)量在 1064nm 波長(zhǎng)下的吸收隨時(shí)間變化的情況，其中誘導(dǎo) 532nm 波長(zhǎng)的情況如下： 從 15KW/cm2 的 1064nm 波長(zhǎng)開(kāi)始測(cè)量 60 秒，然后在 15KW/cm2 的 1064nm 波長(zhǎng)上增加 8KW/cm2 的 532nm 波長(zhǎng)。
SppKTP 具有出色的功率處理能力和低光吸收特性，為高功率非線性光學(xué)領(lǐng)域的前沿研究和工業(yè)應(yīng)用提供了新的可能性。
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