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HGTR KTP晶體通過革新性生長工藝(助熔劑/熱處理技術(shù)),徹底攻克傳統(tǒng)KTP的致命缺陷——灰跡效應(yīng)(高功率激光下累積性灰色損傷),其抗灰跡能力達熔鹽法KTP的10倍以上。在532nm綠光照射下,紅外吸收增長量顯著低于普通/水熱法KTP(見紅外吸收測試圖),解決了高功率密度頻率轉(zhuǎn)換中輸出功率驟降的行業(yè)痛點。該晶體兼具超高平均功率密度(532nm下達5kW/cm2)、4倍于LBO的非線性系數(shù)及寬溫穩(wěn)定性,可在300nm~5500nm波段實現(xiàn)高效變頻(尤其優(yōu)化1000~1400nm SHG)。作為新一代固體激光器倍頻核心,其數(shù)瓦級穩(wěn)定綠光輸出能力為激光投影、醫(yī)療/工業(yè)激光系統(tǒng)提供了高性價比、長壽命、抗損傷的可靠解決方案,規(guī)格兼容8×8mm2口徑與12mm長度。
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所謂Gray Track Effect(灰跡效應(yīng))指的是非線性晶體在受到高功率、高重復率激光脈沖或連續(xù)波激光照射時,在晶體內(nèi)部出現(xiàn)灰色的損傷痕跡,灰跡的形成過程是累積性的,會導致倍頻轉(zhuǎn)換性能下降。KTP 晶體中的誘導色心在可見光和近紅外波段(尤其是 532nm波段)具有廣泛的光吸收,因此會產(chǎn)生灰軌。
HGTR KTP晶體,由于在其生長控制過程中采用了特有的助熔劑和熱處理技術(shù)等先進的工藝方法,與普通熔鹽法(Flux method)生長的KTP晶體相比,具有高達10倍的抗灰跡能力。 眾所周知,普通熔鹽法KTP晶體,應(yīng)用于高功率密度激光頻率轉(zhuǎn)換時,因其本身的灰跡和光折變效應(yīng),輸出功率會在很短的時間內(nèi)快速下降, 而HGTR KTP晶體則可以長期穩(wěn)定地應(yīng)用于高功率激光的頻率轉(zhuǎn)換,而且因其良好的溫度穩(wěn)定性和較高的轉(zhuǎn)換效率,具有比LBO晶體更優(yōu)越的性價比。
HGTR KTP晶體適用于300nm~5500nm區(qū)間的激光頻率轉(zhuǎn)換,可在1000~1400nm的SHG中實現(xiàn)更高的平均功率密度。由于具有較高的抗光損傷閾值和非線性光學系數(shù),使其成為下一代固體激光器中最具潛力的倍頻器件,尤其是在可見光波段的應(yīng)用中,可以產(chǎn)生高達數(shù)瓦的倍頻光輸出,為激光投影系統(tǒng)所需的高性能價格比,高可靠性,高光學質(zhì)量要求的激光光源提供了優(yōu)質(zhì)的解決方案。
產(chǎn)品特點
平均輸出功率密度在532nm時高達5kW/cm2
非線性系數(shù)比LBO高4倍
在可見光到近紅外波長段均保持低吸收率
寬溫度帶寬
非潮解材料
小去離角和大接收角
常見應(yīng)用
用于醫(yī)療、工業(yè)、科學和其他應(yīng)用的中等功率綠
激光器
典型規(guī)格
口徑 | 高達8mmx8mm |
長度 | 高達12mm |
平整度 | 入/10 |
平行度 | 10 arc sec |
垂直度 | 10 arc min |
劃痕 | 10/5 |
鍍膜 | 雙帶 R<0.1% |
波前失真 | <50ppm/cm@1064nm;<200ppm/cm@532nm |
輸出平均功率密度 | 高達5kW/cm2@ 532nm |
損傷閾值 | 600MW/cm2@1064nm/10ns |
HGTR KTP晶體的灰跡效應(yīng)
下圖所表示的是當功率密度為10kW/cm2的532nm綠光射入不同KTP晶體前后,各種晶體對1064nm紅外光吸收增長情況的測試結(jié)果 。
由以上測試曲線所表示的結(jié)果,HGTR KTP晶體本身的紅外吸收,及其在綠光照射下所導致的紅外吸收增長即所謂的灰跡效應(yīng),都大大地低于普通溶鹽法和水熱法生長的KTP晶體。HGTR KTP元件的初始紅外吸收率較低,受綠光的影響也較小,HGTR KTP 將比普通通量生長晶體或熱液生長晶體具有更高的灰跡電阻。
綠光誘導紅外吸收測試圖
HGTR KTP晶體塊體在532nm輻射下的吸收隨時間變化的動態(tài)。該參數(shù)表示晶體的效能和灰度跟蹤電阻。這表明晶體的壽命--數(shù)值越小,預(yù)期壽命越長。
波長1064nm的涂層HGTR KTP的吸收圖